Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Technology: Si
Unit Weight: 2.163 g
Configuration: Dual
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 650 mW
Gate-Source Cutoff Voltage: - 3 V
Drain-Source Current at Vgs=0: 30 mA
Forward Transconductance - Min: 7000 uhmo
Rds On - Drain-Source Resistance: 100 Ohms
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 40 V
