Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Technology: Si
Unit Weight: 3.372 g
Configuration: Dual
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 500 mW (1/2 W)
Gate-Source Cutoff Voltage: - 5 V
Drain-Source Current at Vgs=0: 40 mA
Id - Continuous Drain Current: 5 mA
Forward Transconductance - Min: 3000 uS
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 25 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 10 V
