MOSFET Công Suất HiPerFET Lớp Q3 1000V/28A IXYS IXFN32N100Q3
Hãng sản xuấtIXYS(Xem thêm sản phẩm của hãng)
ModelIXFN32N100Q3
Liên hệ
Thanh toán an toàn
Hỗ trợ chuyên nghiệp
Đổi trả dễ dàng
Giao hàng tận nơi
Rise Time: 300 ns
Technology: Si
Unit Weight: 30 g
Configuration: Single
Mounting Style: Screw Mount
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 780 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 30 V, + 30 V
Id - Continuous Drain Current: 28 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 320 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1 kV
Cập nhật các ưu đãi mới nhất
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Hỗ trợ nhanh
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi