Mô-đun MOSFET 200V 3mohm 340A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET trong SOT-227B IXYS IXTN400N20X4
Fall Time: 17 ns
Rise Time: 53 ns
Technology: Si
Configuration: Single
Mounting Style: Screw Mount
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 830 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 30 V, + 30 V
Typical Turn-On Delay Time: 40 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 114 ns
Id - Continuous Drain Current: 1.1 kA
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 3 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 200 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4.5 V
Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi

