Advanced Linear Devices ALD1108ESCL MOSFET クアッド EPAD(R) プログ
ModelALD1108ESCL
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Technology: Si
Unit Weight: 666 mg
Channel Mode: Depletion
Configuration: Quad
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: 4 N-Channel
Number of Channels: 4 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 500 mW
Vgs - Gate-Source Voltage: - 12 V, + 12 V
Id - Continuous Drain Current: 12 mA
Maximum Operating Temperature: + 70 C
Minimum Operating Temperature: 0 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 500 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 10 V
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