Advanced Semiconductor, Inc. AGR09030EF RFパワーMOSFET RFトランジスタ
ModelAGR09030EF
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Technology: Si
Configuration: Single
Operating Frequency: 895 MHz
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 80 W
Vgs - Gate-Source Voltage: 15 V
Id - Continuous Drain Current: 4.25 A
Maximum Operating Temperature: + 200 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 65 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 5 V
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