Advanced Semiconductor, Inc. BLF245 RF MOSFET トランジスタ RF トランジスタ
ModelBLF245
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Gain: 16 dB
Technology: Si
Unit Weight: 11.512 g
Output Power: 30 W
Mounting Style: Screw Mount
Operating Frequency: 175 MHz
Transistor Polarity: N-Channel
Id - Continuous Drain Current: 6 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 65 V
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