Advanced Semiconductor, Inc. BLV25 RF バイポーラパワー RF トランジスタ
ModelBLV25
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Technology: Si
Unit Weight: 13.094 g
Mounting Style: Screw Mount
Transistor Type: Bipolar Power
Operating Frequency: 108 MHz
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 220 W
Emitter- Base Voltage VEBO: 4 V
Continuous Collector Current: 17.5 A
Maximum Operating Temperature: + 200 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 15
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 33 V
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