Advanced Semiconductor, Inc. MRF172 RFパワーMOSFET RFトランジスタ
ModelMRF172
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Gain: 10 dB
Technology: Si
Output Power: 80 W
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Operating Frequency: 200 MHz
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 220 W
Vgs - Gate-Source Voltage: 40 V
Id - Continuous Drain Current: 9 A
Maximum Operating Temperature: + 200 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 1.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 65 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 5 V
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