Advanced Semiconductor, Inc. MRF5174 RF バイポーラパワー RF トランジスタ
ModelMRF5174
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Technology: Si
Mounting Style: Through Hole
Transistor Type: Bipolar Power
Operating Frequency: 400 MHz
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 8.75 W
Emitter- Base Voltage VEBO: 3.5 V
Continuous Collector Current: 500 mA
Maximum Operating Temperature: + 200 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 20
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 28 V
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