Advanced Semiconductor, Inc. MRF581A RF バイポーラ 小信号 RF トランジスタ
ModelMRF581A
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Technology: Si
Unit Weight: 100 mg
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: Bipolar
Operating Frequency: 1 GHz
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 1.25 W
Emitter- Base Voltage VEBO: 2.5 V
Continuous Collector Current: 200 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 90
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 15 V
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