Advanced Semiconductor, Inc. MS1008 RF バイポーラパワー RF トランジスタ
ModelMS1008
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Technology: Si
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Type: Bipolar Power
Operating Frequency: 30 MHz
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 233 W
Emitter- Base Voltage VEBO: 4 V
Continuous Collector Current: 10 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 15
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 55 V
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