CEL CE3512K2 RF JFETトランジスタ 12GHz NF 0.3dB Ga 13.7dB -55℃ +125℃
メーカーCEL(このブランドの他の製品を見る)
ModelCE3512K2
お問い合わせ
安全なチェックアウト
高品質な対応
簡単な交換・返品
配送対応可能
Gain: 13.7 dB
Technology: GaAs
Unit Weight: 16.473 mg
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: pHEMT
NF - Noise Figure: 0.3 dB
Operating Frequency: 12 GHz
Pd - Power Dissipation: 125 mW
Gate-Source Cutoff Voltage: - 750 mV
Id - Continuous Drain Current: 10 mA
Maximum Operating Temperature: + 125 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Forward Transconductance - Min: 54 mS
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 3 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 4 V
お得な情報を受け取る
数量割引、まとめ買い価格の更新、新製品情報をメールでお届けします。
登録することで、当社の利用規約およびプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
クイックサポート
認定専門家へ直接アクセス