Vishay General Semiconductor ILD1-X007 トランジスタ出力フォトカプラ フォトトランジスタ出力 デュアル CTR > 20%
ModelILD1-X007
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Width: 6.81 mm
Height: 3.81 mm
Length: 9.91 mm
Fall Time: 7.6 us
Rise Time: 1.2 us
Output Type: NPN Phototransistor
Configuration: 2 Channel
Mounting Style: SMD/SMT
Isolation Voltage: 5300 Vrms
Number of Channels: 2 Channel
If - Forward Current: 60 mA
Vf - Forward Voltage: 1.65 V
Vr - Reverse Voltage: 6 V
Current Transfer Ratio: 20 %
Pd - Power Dissipation: 250 mW
Maximum Collector Current: 400 mA
Current Transfer Ratio - Max: 300 %
Current Transfer Ratio - Min: 20 %
Maximum Operating Temperature: + 100 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Maximum Collector Emitter Voltage: 50 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage: 400 mV
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