Vishay General Semiconductor SI4447DY-T1-E3 MOSFET 40V 4.5A 2.0W 54mΩ @ 10V
ModelSI4447DY-T1-E3
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Width: 3.9 mm
Height: 1.75 mm
Length: 4.9 mm
Technology: Si
Unit Weight: 187 mg
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Qg - Gate Charge: 14 nC
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: P-Channel
Pd - Power Dissipation: 2 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 16 V, + 16 V
Id - Continuous Drain Current: 4.5 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 54 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.2 V
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