GeneSiC G3F60MT06D SiC MOSFETS 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
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ModelG3F60MT06D
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Technology: SiC
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Id - Continuous Drain Current: 42 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 55 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V
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