Infineon BGA 616 H6327 ゲインブロックアンプ RF シリコン MMIC
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ModelBGA 616 H6327
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Gain: 18 dB
Technology: SiGe
Unit Weight: 6.400 mg
Mounting Style: SMD/SMT
Test Frequency: 2 GHz
NF - Noise Figure: 2.6 dB
Operating Frequency: 0 Hz to 2.7 GHz
Pd - Power Dissipation: 360 mW
Operating Supply Current: 60 mA
Operating Supply Voltage: 6 V
P1dB - Compression Point: 18 dBm
OIP3 - Third Order Intercept: 29 dBm
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
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