Infineon FF900R12IP4 IGBTモジュール IGBT-MODULE
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ModelFF900R12IP4
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Width: 89 mm
Height: 38 mm
Length: 172 mm
Technology: Si
Unit Weight: 825 g
Configuration: Dual
Mounting Style: Screw Mount
Pd - Power Dissipation: 5.1 kW
Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.7 V
Continuous Collector Current at 25 C: 900 A
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