Infineon FP35R12W2T4 IGBTモジュール IGBT-MODULE
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ModelFP35R12W2T4
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Width: 62.8 mm
Height: 12 mm
Length: 56.7 mm
Technology: Si
Unit Weight: 39 g
Configuration: 3-Phase Inverter
Mounting Style: Screw Mount
Pd - Power Dissipation: 215 W
Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.85 V
Continuous Collector Current at 25 C: 54 A
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