Infineon BSS308PEH6327XTSA1 シングルMOSFET
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ModelBSS308PEH6327XTSA1
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No. of Pins: 3
Channel Type: P Channel
Qualification: AEC-Q101
Power Dissipation: 500 mW
Transistor Mounting: Surface Mount
Transistor Case Style: SOT-23
Drain Source Voltage Vds: 30 V
Operating Temperature Max: 150 °C
Continuous Drain Current Id: 2 A
Drain Source On State Resistance: 80 mOhm
Gate Source Threshold Voltage Max: 1 V
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