Infineon FF900R12IE4VBOSA1 IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）
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ModelFF900R12IE4VBOSA1
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IGBT Technology: IGBT 4 [Trench
IGBT Termination: Stud
Power Dissipation: 5.1
IGBT Configuration: Dual [Half Bri
Transistor Mounting: Screw Mount
Transistor Case Style: Module
Operating Temperature Max: 150 °C
Continuous Collector Current: 900
Collector Emitter Voltage Max: 1.2
Collector Emitter Saturation Voltage: 1.75
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