Infineon FP50R07N2E4BOSA1 IGBTモジュール
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ModelFP50R07N2E4BOSA1
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IGBT Technology: IGBT 4 [Trench
IGBT Termination: Solder
IGBT Configuration: PIM Three Phas
Transistor Mounting: Screw Mount
Transistor Case Style: EconoPIM
Operating Temperature Max: 150 °C
Continuous Collector Current: 70
Collector Emitter Voltage Max: 650
Collector Emitter Saturation Voltage: 1.55
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