Infineon IPB072N15N3GATMA1 シングルMOSFET
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ModelIPB072N15N3GATMA1
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No. of Pins: 3
Channel Type: N Channel
Product Range: OptiMOS 3 Series
Power Dissipation: 300 W
Transistor Mounting: Surface Mount
RDS(ON) Test Voltage: 10 V
Transistor Case Style: TO-263 (D2PAK)
Drain Source Voltage Vds: 150 V
Operating Temperature Max: 175 °C
Continuous Drain Current Id: 100 A
Drain Source On State Resistance: 72 mOhm
Gate Source Threshold Voltage Max: 4 V
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