InterFET IFD89T72 JFET JFET Nチャネル -15V 低Ciss
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ModelIFD89T72
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Technology: Si
Unit Weight: 20 mg
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 250 mW
Gate-Source Cutoff Voltage: - 900 mV
Drain-Source Current at Vgs=0: 1 mA
Id - Continuous Drain Current: 1 uA
Forward Transconductance - Min: 600 uS
Rds On - Drain-Source Resistance: 3 kOhms
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 15 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 3.3 V
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