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Technology: Si
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 360 mW
Gate-Source Cutoff Voltage: - 3 V
Drain-Source Current at Vgs=0: 2 mA
Rds On - Drain-Source Resistance: 100 Ohms
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 35 V
