IXYS IXTA160N10T7 MOSFETs 160アンペア 100V 6.9 Rds
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ModelIXTA160N10T7
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Width: 9.4 mm
Height: 4.7 mm
Length: 10.2 mm
Fall Time: 42 ns
Rise Time: 61 ns
Technology: Si
Unit Weight: 1.600 g
Channel Mode: Enhancement
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: 1 N-Channel
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 430 W
Typical Turn-On Delay Time: 33 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 49 ns
Id - Continuous Drain Current: 160 A
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 7 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V
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