IXYS IXTA2N100P MOSFET 2アンペア 1000V 7.5 Rds
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ModelIXTA2N100P
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Width: 9.65 mm
Height: 4.83 mm
Length: 10.41 mm
Fall Time: 27 ns
Rise Time: 29 ns
Technology: Si
Unit Weight: 4 g
Channel Mode: Enhancement
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: 1 N-Channel
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 86 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Typical Turn-On Delay Time: 25 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 80 ns
Id - Continuous Drain Current: 2 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 7.5 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1 kV
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