Lite-On 4N25S-TA1 トランジスタ出力フォトカプラ PTR 20%、2.5KV
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Model4N25S-TA1
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Width: 6.5 mm
Height: 3.5 mm
Length: 7.3 mm
Fall Time: 3 us
Rise Time: 3 us
Output Type: NPN Phototransistor
Unit Weight: 400 mg
Mounting Style: SMD/SMT
Isolation Voltage: 2500 Vrms
Number of Channels: 1 Channel
If - Forward Current: 80 mA
Vf - Forward Voltage: 1.5 V
Vr - Reverse Voltage: 6 V
Current Transfer Ratio: 20 %
Pd - Power Dissipation: 250 mW
Maximum Collector Current: 100 mA
Current Transfer Ratio - Min: 20 %
Maximum Operating Temperature: + 100 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Collector Emitter Voltage: 30 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage: 500 mV
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