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Gain: 17 dB
Technology: GaN
Output Power: 75 W
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: GaN HEMT
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 41.6 W
Maximum Operating Frequency: 6 GHz
Minimum Operating Frequency: 0 Hz
Id - Continuous Drain Current: 10 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 280 mOhms
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: 150 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 150 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: - 10 V, 2 V
