お得な情報を受け取る
数量割引、まとめ買い価格の更新、新製品情報をメールでお届けします。
登録することで、当社の利用規約およびプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
クイックサポート
認定専門家へ直接アクセス
数量割引、まとめ買い価格の更新、新製品情報をメールでお届けします。
登録することで、当社の利用規約およびプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
認定専門家へ直接アクセス
Gain: 10.5 dB
Technology: GaN
Output Power: 1.7 W
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: HEMT
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 28 W
Maximum Operating Frequency: 3.8 GHz
Minimum Operating Frequency: 3.3 GHz
Id - Continuous Drain Current: 5 A
Maximum Operating Temperature: + 200 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 450 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: - 1.8 V
