Micro Commercial Components (MCC) MIW50N65F-BP IGBTトランジスタ
ModelMIW50N65F-BP
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Technology: Si
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Pd - Power Dissipation: 326 W
Continuous Collector Current: 50 A
Maximum Gate Emitter Voltage: - 30 V, 30 V
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.05 V
Continuous Collector Current at 25 C: 50 A
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