Micro Commercial Components (MCC) SI2312-TP MOSFETs NチャネルMOSFET
ModelSI2312-TP
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Fall Time: 12 ns
Rise Time: 20 ns
Technology: Si
Unit Weight: 8 mg
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: 1 N-Channel
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 350 mW
Vgs - Gate-Source Voltage: - 8 V, + 8 V
Id - Continuous Drain Current: 5 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Forward Transconductance - Min: 6 S
Rds On - Drain-Source Resistance: 31.8 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 450 mV
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