Microchip Technology APT100GLQ65JU3 IGBTモジュール PM-IGBT-TFS-SOT227
ModelAPT100GLQ65JU3
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Technology: Si
Unit Weight: 30 g
Configuration: Single
Mounting Style: Screw Mount
Pd - Power Dissipation: 430 W
Gate-Emitter Leakage Current: 150 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.85 V
Continuous Collector Current at 25 C: 165 A
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