Microchip Technology APT47GA60JD40 IGBTモジュール IGBT PT MOS 8 コンビ 600 V 47 A SOT-227
ModelAPT47GA60JD40
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Technology: Si
Configuration: Single
Mounting Style: Screw Mount
Pd - Power Dissipation: 283 W
Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: 30 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Continuous Collector Current at 25 C: 87 A
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