Microchip Technology APT50GF120JRD IGBTモジュール IGBT NPT 低周波コンビ 1200 V 50 A SOT-227
ModelAPT50GF120JRD
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Technology: Si
Configuration: Single
Mounting Style: Screw Mount
Pd - Power Dissipation: 460 W
Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Continuous Collector Current at 25 C: 75 A
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