Microchip Technology APT50GF120JRDQ3 IGBTモジュール IGBT NPT 低周波コンビ 1200 V 50 A SOT-227
ModelAPT50GF120JRDQ3
お問い合わせ
安全なチェックアウト
高品質な対応
簡単な交換・返品
配送対応可能
Width: 25.4 mm
Height: 9.6 mm
Length: 38.2 mm
Technology: Si
Unit Weight: 30 g
Configuration: Single
Mounting Style: Screw Mount
Pd - Power Dissipation: 521 W
Operating Temperature Range: - 55 C to + 150 C
Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: 30 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C: 120 A
お得な情報を受け取る
数量割引、まとめ買い価格の更新、新製品情報をメールでお届けします。
登録することで、当社の利用規約およびプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
クイックサポート
認定専門家へ直接アクセス