Microchip Technology TN0604N3-G-P005 MOSFETs N-CH 増強型MOSFET
ModelTN0604N3-G-P005
お問い合わせ
安全なチェックアウト
高品質な対応
簡単な交換・返品
配送対応可能
Technology: Si
Unit Weight: 453.600 mg
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Type: 1 N-Channel
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 740 mW
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Id - Continuous Drain Current: 700 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 750 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 600 mV
お得な情報を受け取る
数量割引、まとめ買い価格の更新、新製品情報をメールでお届けします。
登録することで、当社の利用規約およびプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
クイックサポート
認定専門家へ直接アクセス