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Vgs(th): 5 V
Gate Charge (Qg): 85nC
Technology System: MOSFET(Metal Oxide)
Drain to Source voltage: 800V
Continuous drain current: 20A
Input Capacitance (Ciss): 2500pF
Field-effect transistor type: N-CH
Drain to Source on-state resistance: 430mOhm
Datasheet
