NXP PHT6N06LT,135 パワーMOSFET
メーカーNXP(このブランドの他の製品を見る)
ModelPHT6N06LT,135
お問い合わせ
安全なチェックアウト
高品質な対応
簡単な交換・返品
配送対応可能
Type: Power MOSFET
Vgs(th): 2 V
Vgs (Max): 13V
Gate Charge (Qg): 4.5nC
Power consumption: 1.8|8.3W
Technology System: MOSFET(Metal Oxide)
Drain to Source voltage: 55V
Continuous drain current: 2.5A
Input Capacitance (Ciss): 330pF
Operating temperature range: -55 to 150C
Field-effect transistor type: N-CH
Drain to Source on-state resistance: 150mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
お得な情報を受け取る
数量割引、まとめ買い価格の更新、新製品情報をメールでお届けします。
登録することで、当社の利用規約およびプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
クイックサポート
認定専門家へ直接アクセス