NXP PHU97NQ03LT,127 MOSFET
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ModelPHU97NQ03LT,127
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Vgs(th): 2.15 V
Vgs (Max): 20V
Gate Charge (Qg): 11.7nC
Power consumption: 107W
Technology System: MOSFET(Metal Oxide)
Drain to Source voltage: 25V
Continuous drain current: 75A
Input Capacitance (Ciss): 1570pF
Operating temperature range: -55 to 175C
Field-effect transistor type: N-CH
Drain to Source on-state resistance: 6.6mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5|10V
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