onsemi 2SD1805F-TL-E BJTs - バイポーラトランジスタ BIP NPN 5A 20V
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Model2SD1805F-TL-E
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Technology: Si
Unit Weight: 281.380 mg
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 1 W
DC Current Gain hFE Max: 560
Gain Bandwidth Product fT: 120 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Continuous Collector Current: 5 A
Maximum DC Collector Current: 5 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 20 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 220 mV
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