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Technology: Si
Unit Weight: 74 mg
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Qualification: AEC-Q100
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: 2 N-Channel
Number of Channels: 2 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 800 mW
Vgs - Gate-Source Voltage: - 14 V, + 14 V
Id - Continuous Drain Current: 2 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 165 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 55 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.3 V
