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Technology: Si
Unit Weight: 40 mg
Configuration: Dual
Qualification: AEC-Q101
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 400 mW
Gate-Source Cutoff Voltage: - 1.2 V
Maximum Drain Gate Voltage: 25 V
Drain-Source Current at Vgs=0: 40 mA
Id - Continuous Drain Current: 50 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Forward Transconductance - Min: 40 mS
Rds On - Drain-Source Resistance: 78 mOhms
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 25 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 25 V
