onsemi SBRB20100CTT4G ショットキーダイオード
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ModelSBRB20100CTT4G
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Type: Schottky Diode
Speed: Fast Recovery =< 500ns > 200mA(Io)
Diode type: Schottky
Diode Configuration: 1Pair Common Cathode
Circuit configuration: Dual Common Cathode
Average rectified current: 20A
Operating temperature range: -65 to 175C
Spannung – DC Reverse Vr Max: 100V
Repetitive peak reverse voltage: 100V
Spannung – Vorwärts (Vf) Max: 850mV@10A
Number of poles of the contact point: 3
最大非繰り返しサージ電流: 150A
Current - Average Rectified Io per Diode: 10A
Current - Reverse Leakage with Vr Applied: 100uA@100V
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