Renesas Electronics HIP6602BCR ハイサイドおよびローサイド
ModelHIP6602BCR
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Type: High and Low Side
Gate type: NChannelMOSFET
Input type: Non-inverted
Channel Fit: Synchronization
Constitution: Half Bridge
Mounting Type: Surface Mount
Rise/Fall Time: 20|20ns
Supply voltage: 10.8 to 13.2V
Bootstrap Voltage: 15V
Number of drivers: 4
Power-supply voltage: 12V
Operating temperature: 00 to 125C
Maximum output current: 730mA
Number of poles of the contact point: 16
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