Renesas Electronics RBN75H125S1FP4-A0#CB0 IGBTトランジスタ パワートランジスタ 1250V IGBT 75A G8H
ModelRBN75H125S1FP4-A0#CB0
お問い合わせ
安全なチェックアウト
高品質な対応
簡単な交換・返品
配送対応可能
Technology: Si
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Pd - Power Dissipation: 517 W
Maximum Gate Emitter Voltage: - 30 V, 30 V
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.25 kV
Continuous Collector Current Ic Max: 300 A
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.8 V
Continuous Collector Current at 25 C: 150 A
お得な情報を受け取る
数量割引、まとめ買い価格の更新、新製品情報をメールでお届けします。
登録することで、当社の利用規約およびプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
クイックサポート
認定専門家へ直接アクセス