ROHM Semiconductor 2SD2537T100V BJTs - バイポーラトランジスタ NPN 25V 1.2A
Model2SD2537T100V
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Width: 2.5 mm
Height: 1.5 mm
Length: 4.5 mm
Technology: Si
Unit Weight: 130.500 mg
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 500 mW
DC Current Gain hFE Max: 1800
Gain Bandwidth Product fT: 200 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 12 V
Collector- Base Voltage VCBO: 30 V
Continuous Collector Current: 1.2 A
Maximum DC Collector Current: 1.2 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 820
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 25 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 300 mV
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