ROHM Semiconductor BM63363S-VA 3相600V IGBTモジュール
ModelBM63363S-VA
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Technology: Si
Unit Weight: 4 mg
Mounting Style: Through Hole
Pd - Power Dissipation: 33 W
Maximum Operating Temperature: + 100 C
Minimum Operating Temperature: - 25 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
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