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Speed: Fast Recovery =< 500ns > 200mA(Io)
Reverse recovery time: 150ns
Operating temperature range: -55 to 150C
Spannung – DC Reverse Vr Max: 400V
Spannung – Vorwärts (Vf) Max: 1.1V@18A
Current - Average Rectified Io per Diode: 60A
Current - Reverse Leakage with Vr Applied: 6uA@400V
