Sharp Microelectronics PC81713NIP1B トランジスタ出力フォトカプラ
ModelPC81713NIP1B
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Fall Time: 18 us
Rise Time: 18 us
Output Type: NPN Phototransistor
Unit Weight: 90 mg
Configuration: 1 Channel
Mounting Style: SMD/SMT
Isolation Voltage: 5000 Vrms
Number of Channels: 1 Channel
If - Forward Current: 10 mA
Vf - Forward Voltage: 1.4 V
Vr - Reverse Voltage: 6 V
Current Transfer Ratio: 100 %
Pd - Power Dissipation: 170 mW
Maximum Collector Current: 2.5 mA
Current Transfer Ratio - Max: 600 %
Current Transfer Ratio - Min: 100 %
Maximum Operating Temperature: + 100 C
Minimum Operating Temperature: - 30 C
Maximum Collector Emitter Voltage: 80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage: 200 mV
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